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    Proton氫氣發生器 MOCVD中*的好幫手

    點擊次數:2887次  更新時間:2019-02-23

      MOCVD被稱為有機金屬化學氣相沉積法,就是以金屬有機物(如TMGa, TMAI, TMIn, TEGa 等)和烷類(如AsH3, PH3, NH3 等)為原料進行化學氣相沉積生長單晶薄膜的一種技術,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延。金屬有機化合物大多是具有高蒸氣壓的液體,通過氫氣、氮氣或者其他惰性氣體作為載氣,將其攜帶出與烷類混合,再共同入反應室高溫下發生反應。

      氫氣在MOCVD中擔當載氣,將III(II)金屬有機物和V(VI)族氫化物以及摻雜源攜帶運輸到反應室內,為化學沉積反應和薄膜生長提供基礎。MOCVD要求氫氣純度≥99.999%(≥5N),進口壓力為4-7bar,而Proton G4800和S系列氫氣發生器所產氫氣可以符合這一領域的用氣需求。

    Proton G4800

     

    Proton S20/S40

     

      其中,Proton G4800輸出氫氣的純度為99.9999%(6N),含水量小于1ppm,氫氣純度優于MOCVD設備的要求,有利于提高半導體薄膜品質和設備產出;同時,氫氣純度穩定不變,減少了氫氣純度波動對設備的影響。

      另外,G4800和S系列氫氣發生器是現場制氫,發生器內部氫氣儲藏量少。同時,內置可燃氣體探測器,一旦氫氣泄漏,發生器報警停機,將降低氫氣的危險系數。

      此外,該系列設備操作便捷,保障氫氣供應連續不間斷,用戶無需擔心氫氣用完,也無需和高壓氣體鋼瓶接觸。發生器自動運行,無需額外人工操作;發生器自動偵測自身工作狀態和錯誤,一旦偵測異常,發生器報警。

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